IRF6608TR1
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6608TR1
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric ST
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ ST
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Ta), 55A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2120pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36895 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6608TR1
IRF6608TR1 Elektroniska komponenter
IRF6608TR1 Försäljning
IRF6608TR1 Leverantör
IRF6608TR1 Distributör
IRF6608TR1 Datatabell
IRF6608TR1 Foton
IRF6608TR1 Pris
IRF6608TR1 Erbjudande
IRF6608TR1 Lägsta pris
IRF6608TR1 Sök
IRF6608TR1 Köp av
IRF6608TR1 Chip