IRF630NSTRRPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Artikelnummer
IRF630NSTRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
82W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
575pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7028 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF630NSTRRPBF
IRF630NSTRRPBF Elektroniska komponenter
IRF630NSTRRPBF Försäljning
IRF630NSTRRPBF Leverantör
IRF630NSTRRPBF Distributör
IRF630NSTRRPBF Datatabell
IRF630NSTRRPBF Foton
IRF630NSTRRPBF Pris
IRF630NSTRRPBF Erbjudande
IRF630NSTRRPBF Lägsta pris
IRF630NSTRRPBF Sök
IRF630NSTRRPBF Köp av
IRF630NSTRRPBF Chip