IRF6201PBF
MOSFET N-CH 20V 27A 8-SO
Artikelnummer
IRF6201PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.45 mOhm @ 27A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8555pF @ 16V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37057 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6201PBF
IRF6201PBF Elektroniska komponenter
IRF6201PBF Försäljning
IRF6201PBF Leverantör
IRF6201PBF Distributör
IRF6201PBF Datatabell
IRF6201PBF Foton
IRF6201PBF Pris
IRF6201PBF Erbjudande
IRF6201PBF Lägsta pris
IRF6201PBF Sök
IRF6201PBF Köp av
IRF6201PBF Chip