IRF1902TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF1902TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17412 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF1902TRPBF
IRF1902TRPBF Elektroniska komponenter
IRF1902TRPBF Försäljning
IRF1902TRPBF Leverantör
IRF1902TRPBF Distributör
IRF1902TRPBF Datatabell
IRF1902TRPBF Foton
IRF1902TRPBF Pris
IRF1902TRPBF Erbjudande
IRF1902TRPBF Lägsta pris
IRF1902TRPBF Sök
IRF1902TRPBF Köp av
IRF1902TRPBF Chip