IRF100P219XKMA1
TRENCH_MOSFETS
Artikelnummer
IRF100P219XKMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
StrongIRFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AC
Effektförlust (max)
341W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
-
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 278µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12020pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21144 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF100P219XKMA1
IRF100P219XKMA1 Elektroniska komponenter
IRF100P219XKMA1 Försäljning
IRF100P219XKMA1 Leverantör
IRF100P219XKMA1 Distributör
IRF100P219XKMA1 Datatabell
IRF100P219XKMA1 Foton
IRF100P219XKMA1 Pris
IRF100P219XKMA1 Erbjudande
IRF100P219XKMA1 Lägsta pris
IRF100P219XKMA1 Sök
IRF100P219XKMA1 Köp av
IRF100P219XKMA1 Chip