IRF100S201
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Artikelnummer
IRF100S201
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®, StrongIRFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
441W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
192A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 115A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9500pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22661 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF100S201
IRF100S201 Elektroniska komponenter
IRF100S201 Försäljning
IRF100S201 Leverantör
IRF100S201 Distributör
IRF100S201 Datatabell
IRF100S201 Foton
IRF100S201 Pris
IRF100S201 Erbjudande
IRF100S201 Lägsta pris
IRF100S201 Sök
IRF100S201 Köp av
IRF100S201 Chip