IRF100B202
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
Artikelnummer
IRF100B202
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®, StrongIRFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
221W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
97A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.6 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
116nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4476pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26203 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF100B202
IRF100B202 Elektroniska komponenter
IRF100B202 Försäljning
IRF100B202 Leverantör
IRF100B202 Distributör
IRF100B202 Datatabell
IRF100B202 Foton
IRF100B202 Pris
IRF100B202 Erbjudande
IRF100B202 Lägsta pris
IRF100B202 Sök
IRF100B202 Köp av
IRF100B202 Chip