Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF1902GPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
Artikelnummer
IRF1902GPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36259 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF1902GPBF
IRF1902GPBF Elektroniska komponenter
IRF1902GPBF Försäljning
IRF1902GPBF Leverantör
IRF1902GPBF Distributör
IRF1902GPBF Datatabell
IRF1902GPBF Foton
IRF1902GPBF Pris
IRF1902GPBF Erbjudande
IRF1902GPBF Lägsta pris
IRF1902GPBF Sök
IRF1902GPBF Köp av
IRF1902GPBF Chip