IRF1324PBF
MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Artikelnummer
IRF1324PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
24V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 195A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7590pF @ 24V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19188 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF1324PBF
IRF1324PBF Elektroniska komponenter
IRF1324PBF Försäljning
IRF1324PBF Leverantör
IRF1324PBF Distributör
IRF1324PBF Datatabell
IRF1324PBF Foton
IRF1324PBF Pris
IRF1324PBF Erbjudande
IRF1324PBF Lägsta pris
IRF1324PBF Sök
IRF1324PBF Köp av
IRF1324PBF Chip