IRF1018ESLPBF
MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
Artikelnummer
IRF1018ESLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18210 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF1018ESLPBF
IRF1018ESLPBF Elektroniska komponenter
IRF1018ESLPBF Försäljning
IRF1018ESLPBF Leverantör
IRF1018ESLPBF Distributör
IRF1018ESLPBF Datatabell
IRF1018ESLPBF Foton
IRF1018ESLPBF Pris
IRF1018ESLPBF Erbjudande
IRF1018ESLPBF Lägsta pris
IRF1018ESLPBF Sök
IRF1018ESLPBF Köp av
IRF1018ESLPBF Chip