IRF1010ZS
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Artikelnummer
IRF1010ZS
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35519 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF1010ZS
IRF1010ZS Elektroniska komponenter
IRF1010ZS Försäljning
IRF1010ZS Leverantör
IRF1010ZS Distributör
IRF1010ZS Datatabell
IRF1010ZS Foton
IRF1010ZS Pris
IRF1010ZS Erbjudande
IRF1010ZS Lägsta pris
IRF1010ZS Sök
IRF1010ZS Köp av
IRF1010ZS Chip