IRF1010ZL
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
Artikelnummer
IRF1010ZL
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45128 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF1010ZL
IRF1010ZL Elektroniska komponenter
IRF1010ZL Försäljning
IRF1010ZL Leverantör
IRF1010ZL Distributör
IRF1010ZL Datatabell
IRF1010ZL Foton
IRF1010ZL Pris
IRF1010ZL Erbjudande
IRF1010ZL Lägsta pris
IRF1010ZL Sök
IRF1010ZL Köp av
IRF1010ZL Chip