IRF1010ESTRLPBF
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Artikelnummer
IRF1010ESTRLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
84A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3210pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35624 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF1010ESTRLPBF
IRF1010ESTRLPBF Elektroniska komponenter
IRF1010ESTRLPBF Försäljning
IRF1010ESTRLPBF Leverantör
IRF1010ESTRLPBF Distributör
IRF1010ESTRLPBF Datatabell
IRF1010ESTRLPBF Foton
IRF1010ESTRLPBF Pris
IRF1010ESTRLPBF Erbjudande
IRF1010ESTRLPBF Lägsta pris
IRF1010ESTRLPBF Sök
IRF1010ESTRLPBF Köp av
IRF1010ESTRLPBF Chip