BSB012NE2LX
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2
Artikelnummer
BSB012NE2LX
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
3-WDSON
Leverantörsenhetspaket
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
37A (Ta), 170A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 12V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47239 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSB012NE2LX
BSB012NE2LX Elektroniska komponenter
BSB012NE2LX Försäljning
BSB012NE2LX Leverantör
BSB012NE2LX Distributör
BSB012NE2LX Datatabell
BSB012NE2LX Foton
BSB012NE2LX Pris
BSB012NE2LX Erbjudande
BSB012NE2LX Lägsta pris
BSB012NE2LX Sök
BSB012NE2LX Köp av
BSB012NE2LX Chip