BSB008NE2LXXUMA1
MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
Artikelnummer
BSB008NE2LXXUMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
3-WDSON
Leverantörsenhetspaket
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
46A (Ta), 180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
0.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
343nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
16000pF @ 12V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23742 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSB008NE2LXXUMA1
BSB008NE2LXXUMA1 Elektroniska komponenter
BSB008NE2LXXUMA1 Försäljning
BSB008NE2LXXUMA1 Leverantör
BSB008NE2LXXUMA1 Distributör
BSB008NE2LXXUMA1 Datatabell
BSB008NE2LXXUMA1 Foton
BSB008NE2LXXUMA1 Pris
BSB008NE2LXXUMA1 Erbjudande
BSB008NE2LXXUMA1 Lägsta pris
BSB008NE2LXXUMA1 Sök
BSB008NE2LXXUMA1 Köp av
BSB008NE2LXXUMA1 Chip