BSB012N03LX3 G
MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
Artikelnummer
BSB012N03LX3 G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
3-WDSON
Leverantörsenhetspaket
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
39A (Ta), 180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
169nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
16900pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14868 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSB012N03LX3 G
BSB012N03LX3 G Elektroniska komponenter
BSB012N03LX3 G Försäljning
BSB012N03LX3 G Leverantör
BSB012N03LX3 G Distributör
BSB012N03LX3 G Datatabell
BSB012N03LX3 G Foton
BSB012N03LX3 G Pris
BSB012N03LX3 G Erbjudande
BSB012N03LX3 G Lägsta pris
BSB012N03LX3 G Sök
BSB012N03LX3 G Köp av
BSB012N03LX3 G Chip