AOU2N60A
MOSFET N-CH
Artikelnummer
AOU2N60A
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251-3
Effektförlust (max)
57W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
295pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27742 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOU2N60A
AOU2N60A Elektroniska komponenter
AOU2N60A Försäljning
AOU2N60A Leverantör
AOU2N60A Distributör
AOU2N60A Datatabell
AOU2N60A Foton
AOU2N60A Pris
AOU2N60A Erbjudande
AOU2N60A Lägsta pris
AOU2N60A Sök
AOU2N60A Köp av
AOU2N60A Chip