AOU2N60
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
Artikelnummer
AOU2N60
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251-3
Effektförlust (max)
56.8W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36815 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOU2N60
AOU2N60 Elektroniska komponenter
AOU2N60 Försäljning
AOU2N60 Leverantör
AOU2N60 Distributör
AOU2N60 Datatabell
AOU2N60 Foton
AOU2N60 Pris
AOU2N60 Erbjudande
AOU2N60 Lägsta pris
AOU2N60 Sök
AOU2N60 Köp av
AOU2N60 Chip