AOU2N60_001
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
Artikelnummer
AOU2N60_001
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251-3
Effektförlust (max)
56.8W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53459 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOU2N60_001
AOU2N60_001 Elektroniska komponenter
AOU2N60_001 Försäljning
AOU2N60_001 Leverantör
AOU2N60_001 Distributör
AOU2N60_001 Datatabell
AOU2N60_001 Foton
AOU2N60_001 Pris
AOU2N60_001 Erbjudande
AOU2N60_001 Lägsta pris
AOU2N60_001 Sök
AOU2N60_001 Köp av
AOU2N60_001 Chip