SQM120P10_10M1LGE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Artikelnummer
SQM120P10_10M1LGE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (D²Pak)
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40079 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQM120P10_10M1LGE3
SQM120P10_10M1LGE3 Elektroniska komponenter
SQM120P10_10M1LGE3 Försäljning
SQM120P10_10M1LGE3 Leverantör
SQM120P10_10M1LGE3 Distributör
SQM120P10_10M1LGE3 Datatabell
SQM120P10_10M1LGE3 Foton
SQM120P10_10M1LGE3 Pris
SQM120P10_10M1LGE3 Erbjudande
SQM120P10_10M1LGE3 Lägsta pris
SQM120P10_10M1LGE3 Sök
SQM120P10_10M1LGE3 Köp av
SQM120P10_10M1LGE3 Chip