SQM100N10-10_GE3
MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
Artikelnummer
SQM100N10-10_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (D2Pak)
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8050pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48412 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQM100N10-10_GE3
SQM100N10-10_GE3 Elektroniska komponenter
SQM100N10-10_GE3 Försäljning
SQM100N10-10_GE3 Leverantör
SQM100N10-10_GE3 Distributör
SQM100N10-10_GE3 Datatabell
SQM100N10-10_GE3 Foton
SQM100N10-10_GE3 Pris
SQM100N10-10_GE3 Erbjudande
SQM100N10-10_GE3 Lägsta pris
SQM100N10-10_GE3 Sök
SQM100N10-10_GE3 Köp av
SQM100N10-10_GE3 Chip