SQM10250E_GE3
MOSFET N-CHAN 250V TO-263
Artikelnummer
SQM10250E_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (D²Pak)
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4050pF @ 25V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21388 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQM10250E_GE3
SQM10250E_GE3 Elektroniska komponenter
SQM10250E_GE3 Försäljning
SQM10250E_GE3 Leverantör
SQM10250E_GE3 Distributör
SQM10250E_GE3 Datatabell
SQM10250E_GE3 Foton
SQM10250E_GE3 Pris
SQM10250E_GE3 Erbjudande
SQM10250E_GE3 Lägsta pris
SQM10250E_GE3 Sök
SQM10250E_GE3 Köp av
SQM10250E_GE3 Chip