SQM120N03-1M5L_GE3
MOSFET N-CH 30V 120A TO-263
Artikelnummer
SQM120N03-1M5L_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
15605pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54812 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQM120N03-1M5L_GE3
SQM120N03-1M5L_GE3 Elektroniska komponenter
SQM120N03-1M5L_GE3 Försäljning
SQM120N03-1M5L_GE3 Leverantör
SQM120N03-1M5L_GE3 Distributör
SQM120N03-1M5L_GE3 Datatabell
SQM120N03-1M5L_GE3 Foton
SQM120N03-1M5L_GE3 Pris
SQM120N03-1M5L_GE3 Erbjudande
SQM120N03-1M5L_GE3 Lägsta pris
SQM120N03-1M5L_GE3 Sök
SQM120N03-1M5L_GE3 Köp av
SQM120N03-1M5L_GE3 Chip