SQM110N05-06L_GE3
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Artikelnummer
SQM110N05-06L_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (D2Pak)
Effektförlust (max)
157W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4440pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10115 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQM110N05-06L_GE3
SQM110N05-06L_GE3 Elektroniska komponenter
SQM110N05-06L_GE3 Försäljning
SQM110N05-06L_GE3 Leverantör
SQM110N05-06L_GE3 Distributör
SQM110N05-06L_GE3 Datatabell
SQM110N05-06L_GE3 Foton
SQM110N05-06L_GE3 Pris
SQM110N05-06L_GE3 Erbjudande
SQM110N05-06L_GE3 Lägsta pris
SQM110N05-06L_GE3 Sök
SQM110N05-06L_GE3 Köp av
SQM110N05-06L_GE3 Chip