köpa Vishay Siliconix SQJQ466E-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SQJQ466E-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

Artikelnummer

SQJQ466E-T1_GE3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

8-PowerTDFN

Leverantörsenhetspaket

PowerPAK® 8 x 8

Effektförlust (max)

150W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

60V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

200A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

1.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

10210pF @ 25V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±20V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 34914 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

SQJQ100E-T1_GE3