SQD10N30-330H_GE3
MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Artikelnummer
SQD10N30-330H_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
107W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
330 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2190pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42425 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQD10N30-330H_GE3
SQD10N30-330H_GE3 Elektroniska komponenter
SQD10N30-330H_GE3 Försäljning
SQD10N30-330H_GE3 Leverantör
SQD10N30-330H_GE3 Distributör
SQD10N30-330H_GE3 Datatabell
SQD10N30-330H_GE3 Foton
SQD10N30-330H_GE3 Pris
SQD10N30-330H_GE3 Erbjudande
SQD10N30-330H_GE3 Lägsta pris
SQD10N30-330H_GE3 Sök
SQD10N30-330H_GE3 Köp av
SQD10N30-330H_GE3 Chip