SQD100N04-3M6_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Artikelnummer
SQD100N04-3M6_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
136W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30051 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQD100N04-3M6_GE3
SQD100N04-3M6_GE3 Elektroniska komponenter
SQD100N04-3M6_GE3 Försäljning
SQD100N04-3M6_GE3 Leverantör
SQD100N04-3M6_GE3 Distributör
SQD100N04-3M6_GE3 Datatabell
SQD100N04-3M6_GE3 Foton
SQD100N04-3M6_GE3 Pris
SQD100N04-3M6_GE3 Erbjudande
SQD100N04-3M6_GE3 Lägsta pris
SQD100N04-3M6_GE3 Sök
SQD100N04-3M6_GE3 Köp av
SQD100N04-3M6_GE3 Chip