köpa Vishay Siliconix SIRA96DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAKSO-8

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

SIRA96DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAKSO-8

Artikelnummer

SIRA96DP-T1-GE3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

TrenchFET® Gen IV

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

PowerPAK® SO-8

Leverantörsenhetspaket

PowerPAK® SO-8

Effektförlust (max)

34.7W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

30V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

8.8 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1385pF @ 15V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

Vgs (max)

+20V, -16V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 28511 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

SIRA00DP-T1-GE3