Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8
Artikelnummer
SIRA01DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Ta), 60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
112nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3490pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
+16V, -20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15735 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIRA01DP-T1-GE3
SIRA01DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIRA01DP-T1-GE3 Försäljning
SIRA01DP-T1-GE3 Leverantör
SIRA01DP-T1-GE3 Distributör
SIRA01DP-T1-GE3 Datatabell
SIRA01DP-T1-GE3 Foton
SIRA01DP-T1-GE3 Pris
SIRA01DP-T1-GE3 Erbjudande
SIRA01DP-T1-GE3 Lägsta pris
SIRA01DP-T1-GE3 Sök
SIRA01DP-T1-GE3 Köp av
SIRA01DP-T1-GE3 Chip