Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
Artikelnummer
SIRA00DP-T1-RE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11700pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
+20V, -16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33215 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIRA00DP-T1-RE3
SIRA00DP-T1-RE3 Elektroniska komponenter
SIRA00DP-T1-RE3 Försäljning
SIRA00DP-T1-RE3 Leverantör
SIRA00DP-T1-RE3 Distributör
SIRA00DP-T1-RE3 Datatabell
SIRA00DP-T1-RE3 Foton
SIRA00DP-T1-RE3 Pris
SIRA00DP-T1-RE3 Erbjudande
SIRA00DP-T1-RE3 Lägsta pris
SIRA00DP-T1-RE3 Sök
SIRA00DP-T1-RE3 Köp av
SIRA00DP-T1-RE3 Chip