köpa Vishay Siliconix SIRA62DP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 30V

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SIRA62DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 30V

Artikelnummer

SIRA62DP-T1-RE3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

TrenchFET® Gen IV

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

PowerPAK® SO-8

Leverantörsenhetspaket

PowerPAK® SO-8

Effektförlust (max)

5.2W (Ta), 65.7W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

30V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

51.4A (Ta), 80A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

4460pF @ 15V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

Vgs (max)

+16V, -12V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 37630 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter