Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIR188DP-T1-RE3

SIR188DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 60V
Artikelnummer
SIR188DP-T1-RE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25.5A (Ta), 60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.85 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1920pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42812 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIR188DP-T1-RE3
SIR188DP-T1-RE3 Elektroniska komponenter
SIR188DP-T1-RE3 Försäljning
SIR188DP-T1-RE3 Leverantör
SIR188DP-T1-RE3 Distributör
SIR188DP-T1-RE3 Datatabell
SIR188DP-T1-RE3 Foton
SIR188DP-T1-RE3 Pris
SIR188DP-T1-RE3 Erbjudande
SIR188DP-T1-RE3 Lägsta pris
SIR188DP-T1-RE3 Sök
SIR188DP-T1-RE3 Köp av
SIR188DP-T1-RE3 Chip