SIR104DP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Artikelnummer
SIR104DP-T1-RE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
5.4W (Ta), 100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18.3A (Ta), 79A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4230pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23021 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIR104DP-T1-RE3
SIR104DP-T1-RE3 Elektroniska komponenter
SIR104DP-T1-RE3 Försäljning
SIR104DP-T1-RE3 Leverantör
SIR104DP-T1-RE3 Distributör
SIR104DP-T1-RE3 Datatabell
SIR104DP-T1-RE3 Foton
SIR104DP-T1-RE3 Pris
SIR104DP-T1-RE3 Erbjudande
SIR104DP-T1-RE3 Lägsta pris
SIR104DP-T1-RE3 Sök
SIR104DP-T1-RE3 Köp av
SIR104DP-T1-RE3 Chip