SIR106DP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Artikelnummer
SIR106DP-T1-RE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3610pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42952 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIR106DP-T1-RE3
SIR106DP-T1-RE3 Elektroniska komponenter
SIR106DP-T1-RE3 Försäljning
SIR106DP-T1-RE3 Leverantör
SIR106DP-T1-RE3 Distributör
SIR106DP-T1-RE3 Datatabell
SIR106DP-T1-RE3 Foton
SIR106DP-T1-RE3 Pris
SIR106DP-T1-RE3 Erbjudande
SIR106DP-T1-RE3 Lägsta pris
SIR106DP-T1-RE3 Sök
SIR106DP-T1-RE3 Köp av
SIR106DP-T1-RE3 Chip