Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIR186DP-T1-RE3

SIR186DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
Artikelnummer
SIR186DP-T1-RE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
57W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44915 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIR186DP-T1-RE3
SIR186DP-T1-RE3 Elektroniska komponenter
SIR186DP-T1-RE3 Försäljning
SIR186DP-T1-RE3 Leverantör
SIR186DP-T1-RE3 Distributör
SIR186DP-T1-RE3 Datatabell
SIR186DP-T1-RE3 Foton
SIR186DP-T1-RE3 Pris
SIR186DP-T1-RE3 Erbjudande
SIR186DP-T1-RE3 Lägsta pris
SIR186DP-T1-RE3 Sök
SIR186DP-T1-RE3 Köp av
SIR186DP-T1-RE3 Chip