Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIR180DP-T1-RE3

SIR180DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SO-8
Artikelnummer
SIR180DP-T1-RE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32.4A (Ta), 60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.05 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4030pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17194 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIR180DP-T1-RE3
SIR180DP-T1-RE3 Elektroniska komponenter
SIR180DP-T1-RE3 Försäljning
SIR180DP-T1-RE3 Leverantör
SIR180DP-T1-RE3 Distributör
SIR180DP-T1-RE3 Datatabell
SIR180DP-T1-RE3 Foton
SIR180DP-T1-RE3 Pris
SIR180DP-T1-RE3 Erbjudande
SIR180DP-T1-RE3 Lägsta pris
SIR180DP-T1-RE3 Sök
SIR180DP-T1-RE3 Köp av
SIR180DP-T1-RE3 Chip