Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8
Artikelnummer
SIR165DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen III
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
69.4W (Tc)
FET typ
P-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
138nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4930pF @ 15V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44317 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIR165DP-T1-GE3
SIR165DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIR165DP-T1-GE3 Försäljning
SIR165DP-T1-GE3 Leverantör
SIR165DP-T1-GE3 Distributör
SIR165DP-T1-GE3 Datatabell
SIR165DP-T1-GE3 Foton
SIR165DP-T1-GE3 Pris
SIR165DP-T1-GE3 Erbjudande
SIR165DP-T1-GE3 Lägsta pris
SIR165DP-T1-GE3 Sök
SIR165DP-T1-GE3 Köp av
SIR165DP-T1-GE3 Chip