Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIR122DP-T1-RE3

SIR122DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V PPAK SO-8
Artikelnummer
SIR122DP-T1-RE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1950pF @ 40V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17232 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIR122DP-T1-RE3
SIR122DP-T1-RE3 Elektroniska komponenter
SIR122DP-T1-RE3 Försäljning
SIR122DP-T1-RE3 Leverantör
SIR122DP-T1-RE3 Distributör
SIR122DP-T1-RE3 Datatabell
SIR122DP-T1-RE3 Foton
SIR122DP-T1-RE3 Pris
SIR122DP-T1-RE3 Erbjudande
SIR122DP-T1-RE3 Lägsta pris
SIR122DP-T1-RE3 Sök
SIR122DP-T1-RE3 Köp av
SIR122DP-T1-RE3 Chip