Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIR112DP-T1-RE3

SIR112DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 40V
Artikelnummer
SIR112DP-T1-RE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
37.6A (Ta), 133A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.96 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
89nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4270pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
+20V, -16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29813 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIR112DP-T1-RE3
SIR112DP-T1-RE3 Elektroniska komponenter
SIR112DP-T1-RE3 Försäljning
SIR112DP-T1-RE3 Leverantör
SIR112DP-T1-RE3 Distributör
SIR112DP-T1-RE3 Datatabell
SIR112DP-T1-RE3 Foton
SIR112DP-T1-RE3 Pris
SIR112DP-T1-RE3 Erbjudande
SIR112DP-T1-RE3 Lägsta pris
SIR112DP-T1-RE3 Sök
SIR112DP-T1-RE3 Köp av
SIR112DP-T1-RE3 Chip