SIR108DP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Artikelnummer
SIR108DP-T1-RE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.4A (Ta), 45A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
41.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2060pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15831 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIR108DP-T1-RE3
SIR108DP-T1-RE3 Elektroniska komponenter
SIR108DP-T1-RE3 Försäljning
SIR108DP-T1-RE3 Leverantör
SIR108DP-T1-RE3 Distributör
SIR108DP-T1-RE3 Datatabell
SIR108DP-T1-RE3 Foton
SIR108DP-T1-RE3 Pris
SIR108DP-T1-RE3 Erbjudande
SIR108DP-T1-RE3 Lägsta pris
SIR108DP-T1-RE3 Sök
SIR108DP-T1-RE3 Köp av
SIR108DP-T1-RE3 Chip