SIHU7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
Artikelnummer
SIHU7N60E-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
78W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7363 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHU7N60E-GE3
SIHU7N60E-GE3 Elektroniska komponenter
SIHU7N60E-GE3 Försäljning
SIHU7N60E-GE3 Leverantör
SIHU7N60E-GE3 Distributör
SIHU7N60E-GE3 Datatabell
SIHU7N60E-GE3 Foton
SIHU7N60E-GE3 Pris
SIHU7N60E-GE3 Erbjudande
SIHU7N60E-GE3 Lägsta pris
SIHU7N60E-GE3 Sök
SIHU7N60E-GE3 Köp av
SIHU7N60E-GE3 Chip