SIHU4N80E-GE3
MOSFET N-CHAN 800V TO-251
Artikelnummer
SIHU4N80E-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
E
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Leverantörsenhetspaket
IPAK (TO-251)
Effektförlust (max)
69W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.27 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
622pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7954 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHU4N80E-GE3
SIHU4N80E-GE3 Elektroniska komponenter
SIHU4N80E-GE3 Försäljning
SIHU4N80E-GE3 Leverantör
SIHU4N80E-GE3 Distributör
SIHU4N80E-GE3 Datatabell
SIHU4N80E-GE3 Foton
SIHU4N80E-GE3 Pris
SIHU4N80E-GE3 Erbjudande
SIHU4N80E-GE3 Lägsta pris
SIHU4N80E-GE3 Sök
SIHU4N80E-GE3 Köp av
SIHU4N80E-GE3 Chip