köpa Vishay Siliconix SIHU5N50D-E3 MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SIHU5N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Artikelnummer

SIHU5N50D-E3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Through Hole

Paket/fodral

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Leverantörsenhetspaket

TO-251AA

Effektförlust (max)

104W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

500V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

5.3A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 100V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±30V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 12163 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Vishay Siliconix

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Vishay Siliconix

SIHU3N50D-E3