SIHS90N65E-E3
MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
Artikelnummer
SIHS90N65E-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
SUPER-247 (TO-274AA)
Effektförlust (max)
625W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
591nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11826pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51774 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHS90N65E-E3
SIHS90N65E-E3 Elektroniska komponenter
SIHS90N65E-E3 Försäljning
SIHS90N65E-E3 Leverantör
SIHS90N65E-E3 Distributör
SIHS90N65E-E3 Datatabell
SIHS90N65E-E3 Foton
SIHS90N65E-E3 Pris
SIHS90N65E-E3 Erbjudande
SIHS90N65E-E3 Lägsta pris
SIHS90N65E-E3 Sök
SIHS90N65E-E3 Köp av
SIHS90N65E-E3 Chip