SIHS36N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
Artikelnummer
SIHS36N50D-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
SUPER-247 (TO-274AA)
Effektförlust (max)
446W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3233pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48047 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHS36N50D-E3
SIHS36N50D-E3 Elektroniska komponenter
SIHS36N50D-E3 Försäljning
SIHS36N50D-E3 Leverantör
SIHS36N50D-E3 Distributör
SIHS36N50D-E3 Datatabell
SIHS36N50D-E3 Foton
SIHS36N50D-E3 Pris
SIHS36N50D-E3 Erbjudande
SIHS36N50D-E3 Lägsta pris
SIHS36N50D-E3 Sök
SIHS36N50D-E3 Köp av
SIHS36N50D-E3 Chip