SIHJ6N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
Artikelnummer
SIHJ6N65E-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
868 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
596pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44863 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHJ6N65E-T1-GE3
SIHJ6N65E-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIHJ6N65E-T1-GE3 Försäljning
SIHJ6N65E-T1-GE3 Leverantör
SIHJ6N65E-T1-GE3 Distributör
SIHJ6N65E-T1-GE3 Datatabell
SIHJ6N65E-T1-GE3 Foton
SIHJ6N65E-T1-GE3 Pris
SIHJ6N65E-T1-GE3 Erbjudande
SIHJ6N65E-T1-GE3 Lägsta pris
SIHJ6N65E-T1-GE3 Sök
SIHJ6N65E-T1-GE3 Köp av
SIHJ6N65E-T1-GE3 Chip