SIHJ240N60E-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L
Artikelnummer
SIHJ240N60E-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
E
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
89W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
783pF @ 100V
Vgs (max)
±30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16868 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHJ240N60E-T1-GE3
SIHJ240N60E-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIHJ240N60E-T1-GE3 Försäljning
SIHJ240N60E-T1-GE3 Leverantör
SIHJ240N60E-T1-GE3 Distributör
SIHJ240N60E-T1-GE3 Datatabell
SIHJ240N60E-T1-GE3 Foton
SIHJ240N60E-T1-GE3 Pris
SIHJ240N60E-T1-GE3 Erbjudande
SIHJ240N60E-T1-GE3 Lägsta pris
SIHJ240N60E-T1-GE3 Sök
SIHJ240N60E-T1-GE3 Köp av
SIHJ240N60E-T1-GE3 Chip