SI9433BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
Artikelnummer
SI9433BDY-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
1.3W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31978 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI9433BDY-T1-GE3
SI9433BDY-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI9433BDY-T1-GE3 Försäljning
SI9433BDY-T1-GE3 Leverantör
SI9433BDY-T1-GE3 Distributör
SI9433BDY-T1-GE3 Datatabell
SI9433BDY-T1-GE3 Foton
SI9433BDY-T1-GE3 Pris
SI9433BDY-T1-GE3 Erbjudande
SI9433BDY-T1-GE3 Lägsta pris
SI9433BDY-T1-GE3 Sök
SI9433BDY-T1-GE3 Köp av
SI9433BDY-T1-GE3 Chip