SI9407BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
Artikelnummer
SI9407BDY-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.4W (Ta), 5W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12270 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI9407BDY-T1-E3
SI9407BDY-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI9407BDY-T1-E3 Försäljning
SI9407BDY-T1-E3 Leverantör
SI9407BDY-T1-E3 Distributör
SI9407BDY-T1-E3 Datatabell
SI9407BDY-T1-E3 Foton
SI9407BDY-T1-E3 Pris
SI9407BDY-T1-E3 Erbjudande
SI9407BDY-T1-E3 Lägsta pris
SI9407BDY-T1-E3 Sök
SI9407BDY-T1-E3 Köp av
SI9407BDY-T1-E3 Chip