SI9410BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Artikelnummer
SI9410BDY-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 8.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40267 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI9410BDY-T1-E3
SI9410BDY-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI9410BDY-T1-E3 Försäljning
SI9410BDY-T1-E3 Leverantör
SI9410BDY-T1-E3 Distributör
SI9410BDY-T1-E3 Datatabell
SI9410BDY-T1-E3 Foton
SI9410BDY-T1-E3 Pris
SI9410BDY-T1-E3 Erbjudande
SI9410BDY-T1-E3 Lägsta pris
SI9410BDY-T1-E3 Sök
SI9410BDY-T1-E3 Köp av
SI9410BDY-T1-E3 Chip